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Référence fabricant | LNY2V562MSEG |
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Numéro de pièce future | FT-LNY2V562MSEG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNY |
LNY2V562MSEG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 5600µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 350V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 17.1A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 23.94A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.126" (28.60mm) |
Taille / Dimension | 2.500" Dia (63.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 3.937" (100.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2V562MSEG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNY2V562MSEG-FT |
LQS2W820MELZ25
Nichicon
LQS2V121MELZ25
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XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
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M1A3P600-1PQG208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4CE6F17C7N
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LFEC33E-4FN672I
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LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
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EP2AGX125EF29I5N
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