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Référence fabricant | LNT2V562MSEH |
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Numéro de pièce future | FT-LNT2V562MSEH |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNT |
LNT2V562MSEH Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 5600µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 350V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 22.2A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 31.08A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.252" (31.80mm) |
Taille / Dimension | 3.000" Dia (76.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 5.236" (133.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNT2V562MSEH Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNT2V562MSEH-FT |
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LFXP2-8E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ256B
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
10M16DAF256I7G
Intel
EP3SE260F1517C4N
Intel
EP20K30EFC144-1
Intel
5SGXMABN3F45I3LN
Intel
EP2SGX90EF1152C5ES
Intel