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Référence fabricant | LNT2H272MSEHBN |
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Numéro de pièce future | FT-LNT2H272MSEHBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNT |
LNT2H272MSEHBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 2700µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 500V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 11A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 15.4A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.252" (31.80mm) |
Taille / Dimension | 3.000" Dia (76.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 5.236" (133.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNT2H272MSEHBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNT2H272MSEHBN-FT |
LNT2C332MSEB
Nichicon
LNT2C332MSEN
Nichicon
LNT2C333MSEB
Nichicon
LNT2C333MSEN
Nichicon
LNT2C472MSEB
Nichicon
LNT2C472MSEN
Nichicon
LNT2C473MSEB
Nichicon
LNT2C473MSEN
Nichicon
LNT2C682MSEB
Nichicon
LNT2C682MSEN
Nichicon
LCMXO640E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FG484M
Microsemi Corporation
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C7
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
AGL125V2-CS196
Microsemi Corporation
A42MX09-TQG176M
Microsemi Corporation