maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / LNT2E333MSEB
Référence fabricant | LNT2E333MSEB |
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Numéro de pièce future | FT-LNT2E333MSEB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNT |
LNT2E333MSEB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 33000µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 250V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 17A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 20.4A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.634" (41.50mm) |
Taille / Dimension | 3.937" Dia (100.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 10.000" (254.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNT2E333MSEB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNT2E333MSEB-FT |
LNT1K682MSEN
Nichicon
LNT1K683MSEB
Nichicon
LNT1K683MSEN
Nichicon
LNT1V103MSEN
Nichicon
LNT1V104MSEB
Nichicon
LNT1V104MSEN
Nichicon
LNT1V153MSEN
Nichicon
LNT1V154MSEB
Nichicon
LNT1V154MSEN
Nichicon
LNT1V223MSEN
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation