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Référence fabricant | LMXN1915M102CTAS |
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Numéro de pièce future | FT-LMXN1915M102CTAS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LMXN |
LMXN1915M102CTAS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1mH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | - |
Courant - Saturation | 1A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.8 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.730" L x 0.600" W (18.54mm x 15.24mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.280" (7.11mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LMXN1915M102CTAS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LMXN1915M102CTAS-FT |
6000-220K-RC
Bourns Inc.
6000-1R5M-RC
Bourns Inc.
6000-470K-RC
Bourns Inc.
6000-121K-RC
Bourns Inc.
6000-560K-RC
Bourns Inc.
6000-100K-RC
Bourns Inc.
6000-270K-RC
Bourns Inc.
6000-680K-RC
Bourns Inc.
6000-120K-RC
Bourns Inc.
6000-100K-TR-RC
Bourns Inc.
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel