maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Linéaire - Comparateurs / LM193DR
Référence fabricant | LM193DR |
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Numéro de pièce future | FT-LM193DR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LM193DR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Differential |
Nombre d'éléments | 2 |
Le type de sortie | CMOS, MOS, Open-Drain, TTL |
Tension - Alimentation simple / double (±) | 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V |
Tension - décalage d'entrée (Max) | 5mV @ 30V |
Courant - Biais d'entrée (Max) | 0.1µA @ 5V |
Courant - Sortie (Typ) | 20mA |
Courant - Au repos (Max) | 2.5mA |
CMRR, PSRR (Typ) | - |
Délai de propagation (max) | - |
Hystérèse | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LM193DR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LM193DR-FT |
TLC372QDRG4
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LM2903VQDRQ1
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A54SX08A-FTQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FG676C
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XCV400E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
EP4SGX290KF40I4
Intel
EP4S100G5F45I2
Intel
EP4CGX30BF14C8N
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LCMXO2-256ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
EP1S40B956C5
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