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Référence fabricant | LLSTR-10 |
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Numéro de pièce future | FT-LLSTR-10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LLSTR |
LLSTR-10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Toroidal |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 2.25A |
Courant - Saturation | 2.8A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 45MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.475" L x 0.420" W (12.07mm x 10.67mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.290" (7.37mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LLSTR-10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LLSTR-10-FT |
4501-122M
API Delevan Inc.
4501-124M
API Delevan Inc.
4501-126M
API Delevan Inc.
4501-128M
API Delevan Inc.
4501-130M
API Delevan Inc.
4501-132M
API Delevan Inc.
4501-134M
API Delevan Inc.
4501R-102M
API Delevan Inc.
4501R-104M
API Delevan Inc.
4501R-106M
API Delevan Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel