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Référence fabricant | LL46-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-LL46-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
LL46-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 250mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 MiniMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LL46-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LL46-GS18-FT |
BAS282-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS282-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS283-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS283-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS285-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS285-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
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EP4SGX290KF40I4N
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XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel