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Référence fabricant | LL4151-GS08 |
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Numéro de pièce future | FT-LL4151-GS08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LL4151-GS08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 50mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 MiniMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LL4151-GS08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LL4151-GS08-FT |
S5DC-13
Diodes Incorporated
S5GC-13
Diodes Incorporated
S5JC-13
Diodes Incorporated
S5MC-13
Diodes Incorporated
SK32-7
Diodes Incorporated
SK32-7-F
Diodes Incorporated
SK33-7
Diodes Incorporated
SK34-7
Diodes Incorporated
SK35-7
Diodes Incorporated
SK36-7
Diodes Incorporated
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel