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LL4007G L0 Image

Taiwan Semiconductor Corporation LL4007G L0

Numéro de pièce MFG
LL4007G L0
quantité disponible
60810 Pièces
Prix de référence
USD 0.053712
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- DIODE GEN PURP 1000V 1A MELF
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
LL4007G L0.pdf
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LL4007G L0 Caractéristiques

Référence fabricant LL4007G L0
Numéro de pièce future FT-LL4007G L0
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
LL4007G L0 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) -
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 1A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse DO-213AB, MELF
Package d'appareils du fournisseur MELF
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 150°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
LL4007G L0 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange LL4007G L0-FT

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