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Référence fabricant | LHL10TB6R8M |
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Numéro de pièce future | FT-LHL10TB6R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LH, L Type |
LHL10TB6R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3.4A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 30MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.433" Dia (11.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.551" (14.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10TB6R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LHL10TB6R8M-FT |
BRC2012T4R7MD
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
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EPF8636AQC160-3
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EP1SGX40GF1020I6
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