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Référence fabricant | LHL10NB8R2M |
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Numéro de pièce future | FT-LHL10NB8R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LH, L Type |
LHL10NB8R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3.3A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 31 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 24MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.433" Dia (11.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.551" (14.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10NB8R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LHL10NB8R2M-FT |
LHL08NB820K
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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5SGXEA7H3F35C2N
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