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Référence fabricant | LHL08TB2R7M |
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Numéro de pièce future | FT-LHL08TB2R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LH, L Type |
LHL08TB2R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3.5A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 19 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 48MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.354" Dia (9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.374" (9.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL08TB2R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LHL08TB2R7M-FT |
MDMK4040T2R2MM
Taiyo Yuden
MDMK4040T2R2MMV
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XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel