maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LBR2012T2R2MV
Référence fabricant | LBR2012T2R2MV |
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Numéro de pièce future | FT-LBR2012T2R2MV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LB, R Type |
LBR2012T2R2MV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 260mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 130 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 80MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T2R2MV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LBR2012T2R2MV-FT |
HK21251N5S-T
Taiyo Yuden
HK21251N8S-T
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HK212522NK-T
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Intel
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Intel
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel