maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LBM2016T1R2J
Référence fabricant | LBM2016T1R2J |
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Numéro de pièce future | FT-LBM2016T1R2J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LB, M Type |
LBM2016T1R2J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 370mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 410 mOhm |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 180MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.071" (1.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T1R2J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LBM2016T1R2J-FT |
CBC2016T220K
Taiyo Yuden
CBC2016T220M
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XA3S200A-4FTG256Q
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XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation