maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LBM2016T1R2JV
Référence fabricant | LBM2016T1R2JV |
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Numéro de pièce future | FT-LBM2016T1R2JV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LB, M Type |
LBM2016T1R2JV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 370mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 533 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 180MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.071" (1.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T1R2JV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LBM2016T1R2JV-FT |
CBC2016T220M
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel