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Référence fabricant | LB2012T1R0M |
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Numéro de pièce future | FT-LB2012T1R0M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LB |
LB2012T1R0M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 405mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2012T1R0M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LB2012T1R0M-FT |
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
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EP4CGX15BF14C7
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M1AFS1500-2FGG676I
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EP20K100EQC240-1
Intel