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Référence fabricant | LB2012T100KV |
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Numéro de pièce future | FT-LB2012T100KV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LB |
LB2012T100KV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 120mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 700 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 32MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2012T100KV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LB2012T100KV-FT |
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel