maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LAV35VBR27M
Référence fabricant | LAV35VBR27M |
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Numéro de pièce future | FT-LAV35VBR27M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LA, V Type |
LAV35VBR27M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 270nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 980mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 25.2MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 160MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25.2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.236" Dia (6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VBR27M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LAV35VBR27M-FT |
LAP02KR221K
Taiyo Yuden
LAP02KR270K
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LAP02KR2R2K
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LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
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XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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M1A3P600-2PQ208I
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Microsemi Corporation
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LFE2M50E-6FN672I
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