maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LAL04KBR82M
Référence fabricant | LAL04KBR82M |
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Numéro de pièce future | FT-LAL04KBR82M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LA, L Type |
LAL04KBR82M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 820nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 980mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 170 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 25.2MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 172MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25.2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04KBR82M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LAL04KBR82M-FT |
LAL03TB821K
Taiyo Yuden
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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5SGXEA7H3F35C2N
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5AGXMA5G4F31C4N
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