maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LAL02TB100K
Référence fabricant | LAL02TB100K |
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Numéro de pièce future | FT-LAL02TB100K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LA, L Type |
LAL02TB100K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 160mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 2.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 40 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 24MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.091" Dia x 0.134" L (2.30mm x 3.40mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL02TB100K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LAL02TB100K-FT |
IRF03SH470J
Vishay Dale
IRF03SH470K
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IRF03SH471K
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ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU095-1FFVC1517I
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XC3S200-4VQ100I
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XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation
APA600-FGG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152I4N
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