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Référence fabricant | L-07C2N0SV6T |
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Numéro de pièce future | FT-L-07C2N0SV6T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
L-07C2N0SV6T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ceramic |
Inductance | 2nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 300mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 160 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 12GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1005 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0402 (1005 Metric) |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.024" (0.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L-07C2N0SV6T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | L-07C2N0SV6T-FT |
L-14C1N2SV4T
Johanson Technology Inc.
L-14C1N8SV4T
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
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5SGXEA4H2F35C1N
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