maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / KSD2012YYDTU
Référence fabricant | KSD2012YYDTU |
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Numéro de pièce future | FT-KSD2012YYDTU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KSD2012YYDTU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
Puissance - Max | 25W |
Fréquence - Transition | 3MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD2012YYDTU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KSD2012YYDTU-FT |
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