maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / KSD1021GBU
Référence fabricant | KSD1021GBU |
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Numéro de pièce future | FT-KSD1021GBU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KSD1021GBU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
Puissance - Max | 350mW |
Fréquence - Transition | 130MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD1021GBU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KSD1021GBU-FT |
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