maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / KSC2786YBU
Référence fabricant | KSC2786YBU |
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Numéro de pièce future | FT-KSC2786YBU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KSC2786YBU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Fréquence - Transition | 600MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 3dB ~ 5dB @ 100MHz |
Gain | 18dB ~ 22dB |
Puissance - Max | 250mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 20mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSC2786YBU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KSC2786YBU-FT |
NE462M02-AZ
CEL
NE462M02-T1-AZ
CEL
NE85634-A
CEL
NE85634-T1-A
CEL
NE856M02-T1-AZ
CEL
MRF904
Microsemi Corporation
MRF581G
Microsemi Corporation
MRF581AG
Microsemi Corporation
MRF581A
Microsemi Corporation
MRF553
Microsemi Corporation
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
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EP1S10F672C7N
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10AX022E3F27E2SG
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XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
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5AGXBB1D4F31C5N
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EPF6016QI208-3
Intel