maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / KSC1008GBU
Référence fabricant | KSC1008GBU |
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Numéro de pièce future | FT-KSC1008GBU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KSC1008GBU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 700mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 50mA, 2V |
Puissance - Max | 800mW |
Fréquence - Transition | 50MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSC1008GBU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KSC1008GBU-FT |
BC558B_J18Z
ON Semiconductor
BC558C
ON Semiconductor
BC558CBU
ON Semiconductor
BC559
ON Semiconductor
BC559ABU
ON Semiconductor
BC559B
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BC559BBU
ON Semiconductor
BC559BU
ON Semiconductor
BC559C,116
NXP USA Inc.
BC559CBU
ON Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel