maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / KSB1116GBU
Référence fabricant | KSB1116GBU |
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Numéro de pièce future | FT-KSB1116GBU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KSB1116GBU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Puissance - Max | 750mW |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB1116GBU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KSB1116GBU-FT |
BC636TF
ON Semiconductor
BC636TFR
ON Semiconductor
BC636_J35Z
ON Semiconductor
BC637RL1G
ON Semiconductor
BC637_D26Z
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BC637_D27Z
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BC637_D75Z
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BC637_J35Z
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BC638TF
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BC638TFR
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XA3S400A-4FGG400I
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I7G
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5SGSMD5K2F40C3N
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EP3SE260F1517C2
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5SGXMA5N3F45I3N
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5SGXEA5K3F35C4N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923E
Xilinx Inc.
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation