maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / KSB1116AYTA
Référence fabricant | KSB1116AYTA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-KSB1116AYTA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KSB1116AYTA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 100mA, 2V |
Puissance - Max | 750mW |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB1116AYTA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KSB1116AYTA-FT |
BC636TAR
ON Semiconductor
BC636TF
ON Semiconductor
BC636TFR
ON Semiconductor
BC636_J35Z
ON Semiconductor
BC637RL1G
ON Semiconductor
BC637_D26Z
ON Semiconductor
BC637_D27Z
ON Semiconductor
BC637_D75Z
ON Semiconductor
BC637_J35Z
ON Semiconductor
BC638TF
ON Semiconductor
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation