maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / KSB1017YTU
Référence fabricant | KSB1017YTU |
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Numéro de pièce future | FT-KSB1017YTU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KSB1017YTU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 300mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 30µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 5V |
Puissance - Max | 25W |
Fréquence - Transition | 9MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB1017YTU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KSB1017YTU-FT |
BCP 54-16 H6778
Infineon Technologies
BCP 54-16 H6779
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BCP 55-16 E6327
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BCP 56-10 E6433
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BCP 56-10 H6433
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BCP 68-25 E6327
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BCP 68-25 H6327
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BCP 69-16 E6327
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BCP49H6327XTSA1
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EPF6024ATC144-2N
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XC2VP2-5FG456I
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A54SX32A-FFG144
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10M50DAF256C8G
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EP4SGX530KH40C3N
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5SGXEA7K3F35I3N
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XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
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