maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / JS28F512M29EWL0
Référence fabricant | JS28F512M29EWL0 |
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Numéro de pièce future | FT-JS28F512M29EWL0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
JS28F512M29EWL0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 110ns |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 56-TSOP (14x20) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JS28F512M29EWL0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JS28F512M29EWL0-FT |
W29GL512PL9B
Winbond Electronics
W29GL512PL9B TR
Winbond Electronics
W29GL512SH9B
Winbond Electronics
W29GL512SH9B TR
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W29GL512SL9B
Winbond Electronics
W29GL512SL9B TR
Winbond Electronics
M58LR128KB85ZB5E
Micron Technology Inc.
M58LR128KT85ZB5E
Micron Technology Inc.
M58WR064EB70ZB6
Micron Technology Inc.
M58WR064EB70ZB6T
STMicroelectronics
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel