maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / JS28F512M29EWH0
Référence fabricant | JS28F512M29EWH0 |
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Numéro de pièce future | FT-JS28F512M29EWH0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
JS28F512M29EWH0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 110ns |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 56-TSOP (14x20) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JS28F512M29EWH0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JS28F512M29EWH0-FT |
W29GL512PH9B
Winbond Electronics
W29GL512PH9B TR
Winbond Electronics
W29GL512PL9B
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W29GL512PL9B TR
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W29GL512SH9B
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W29GL512SH9B TR
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W29GL512SL9B
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W29GL512SL9B TR
Winbond Electronics
M58LR128KB85ZB5E
Micron Technology Inc.
M58LR128KT85ZB5E
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel