maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / JDV2S09FSTPL3
Référence fabricant | JDV2S09FSTPL3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JDV2S09FSTPL3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
JDV2S09FSTPL3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 10V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 11.1pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 2-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | fSC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JDV2S09FSTPL3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JDV2S09FSTPL3-FT |
HSMS-8202-TR1
Broadcom Limited
HSMS-8202-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-8202-TR2G
Broadcom Limited
MMBD101LT1
ON Semiconductor
MMBD352LT1
ON Semiconductor
MMBD354LT1
ON Semiconductor
MMBV3700LT1
ON Semiconductor
BAR6404WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1705WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6405WH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC4003E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-3
Intel
XC7A200T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFX200EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020C5
Intel