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Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S12CR(TE85L,Q
- Numéro de pièce MFG
- JDP2S12CR(TE85L,Q
- quantité disponible
- 93670 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Brève description
- - RF DIODE PIN 180V S-FLAT
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - RF
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
JDP2S12CR(TE85L,Q Caractéristiques
| Référence fabricant | JDP2S12CR(TE85L,Q |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-JDP2S12CR(TE85L,Q |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| JDP2S12CR(TE85L,Q Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
| Type de diode | PIN - Single |
| Tension - Inverse de crête (Max) | 180V |
| Courant - Max | 1A |
| Capacité @ Vr, F | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| Résistance @ Si, F | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| Dissipation de puissance (max) | - |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Paquet / caisse | SOD-123F |
| Package d'appareils du fournisseur | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| JDP2S12CR(TE85L,Q Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | JDP2S12CR(TE85L,Q-FT |
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