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Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S12CR(TE85L,Q

Name: JDP2S12CR(TE85L,Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: JDP2S12CR(TE85L,Q
Availability: InStock
Rating: 4.9 (637 reviews)

Numéro de pièce MFG: JDP2S12CR(TE85L,Q

quantité disponible: 93670 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - RF DIODE PIN 180V S-FLAT

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - RF

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf

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JDP2S12CR(TE85L,Q Caractéristiques

Référence fabricant	JDP2S12CR(TE85L,Q
Numéro de pièce future	FT-JDP2S12CR(TE85L,Q
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
JDP2S12CR(TE85L,Q Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de diode	PIN - Single
Tension - Inverse de crête (Max)	180V
Courant - Max	1A
Capacité @ Vr, F	1.3pF @ 40V, 1MHz
Résistance @ Si, F	700 mOhm @ 10mA, 100MHz
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Paquet / caisse	SOD-123F
Package d'appareils du fournisseur	S-FLAT (1.6x3.5)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
JDP2S12CR(TE85L,Q Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	JDP2S12CR(TE85L,Q-FT

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