maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N6308
Référence fabricant | JANTXV2N6308 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N6308 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/498 |
JANTXV2N6308 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 2.67A, 8A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 3A, 5V |
Puissance - Max | 125W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-204AA, TO-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-204AA (TO-3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6308 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N6308-FT |
DXTN3C60PS-13
Diodes Incorporated
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M2GL010S-1FGG484I
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5SGXEA3K2F40C2N
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EP4SGX530HH35C3NES
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XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
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LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
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EP20K100QC240-1
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EP20K60EQI208-2X
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