maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N5416S
Référence fabricant | JANTXV2N5416S |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N5416S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANTXV2N5416S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 750mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 (TO-205AD) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5416S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N5416S-FT |
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XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
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LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation