maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N4150
Référence fabricant | JANTXV2N4150 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N4150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/394 |
JANTXV2N4150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 10A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 70V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 10A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5A, 5V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N4150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N4150-FT |
BCW33,215
Nexperia USA Inc.
BCW60B,235
Nexperia USA Inc.
BCW60C,215
Nexperia USA Inc.
BCW60C,235
Nexperia USA Inc.
BCW60D,215
Nexperia USA Inc.
BCW60D,235
Nexperia USA Inc.
BCW61C,215
Nexperia USA Inc.
BCW61C,235
Nexperia USA Inc.
BCW66GR
Nexperia USA Inc.
BCW66GVL
Nexperia USA Inc.
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel