maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N3766
Référence fabricant | JANTXV2N3766 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N3766 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/518 |
JANTXV2N3766 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 100mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V |
Puissance - Max | 25W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-213AA, TO-66-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-66 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3766 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N3766-FT |
JAN2N5152L
Microsemi Corporation
JAN2N5153L
Microsemi Corporation
JAN2N5154L
Microsemi Corporation
JAN2N5157
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JAN2N5237S
Microsemi Corporation
JAN2N5238S
Microsemi Corporation
JAN2N5339
Microsemi Corporation
JAN2N5415S
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JAN2N5664
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JAN2N5665
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG100CR1
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XC6SLX75-L1FGG676C
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XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S15F672C4
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
Intel
EP20K600EFC33-3
Intel