maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N3637L
Référence fabricant | JANTXV2N3637L |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N3637L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTXV2N3637L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3637L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N3637L-FT |
BC849BW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC849CW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC850AW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC850BW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC850CW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
2SA1303
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2SB1420
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2SC3284
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XC4003E-4PQ100I
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Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
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10AX027H3F34I2LG
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LFE2M35E-6FN484I
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