maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N3585
Référence fabricant | JANTXV2N3585 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N3585 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/384 |
JANTXV2N3585 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 125mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 10V |
Puissance - Max | 2.5W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-213AA, TO-66-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-66 (TO-213AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3585 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N3585-FT |
JANTX2N2369AUB/TR
Microsemi Corporation
JANTX2N2432
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EP2C8T144I8
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LCMXO2280E-4TN144C
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XC6SLX75-3CSG484C
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XC3S700A-4FG400I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LFTN256C
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A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
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5SGXEA7H3F35I3LN
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XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
EPF6016QC208-3
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