maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N3506
Référence fabricant | JANTXV2N3506 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N3506 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JANTXV2N3506 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 (TO-205AD) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3506 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N3506-FT |
JAN2N4234
Microsemi Corporation
JAN2N4236
Microsemi Corporation
JAN2N4237
Microsemi Corporation
JAN2N4238
Microsemi Corporation
JAN2N4239
Microsemi Corporation
JAN2N5151
Microsemi Corporation
JAN2N5151L
Microsemi Corporation
JAN2N5152
Microsemi Corporation
JAN2N5152L
Microsemi Corporation
JAN2N5153L
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel