maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N3506L
Référence fabricant | JANTXV2N3506L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N3506L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JANTXV2N3506L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3506L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N3506L-FT |
JAN2N4238
Microsemi Corporation
JAN2N4239
Microsemi Corporation
JAN2N5151
Microsemi Corporation
JAN2N5151L
Microsemi Corporation
JAN2N5152
Microsemi Corporation
JAN2N5152L
Microsemi Corporation
JAN2N5153L
Microsemi Corporation
JAN2N5154L
Microsemi Corporation
JAN2N5157
Microsemi Corporation
JAN2N5237S
Microsemi Corporation
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel