maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N3506L
Référence fabricant | JANTXV2N3506L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N3506L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JANTXV2N3506L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3506L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N3506L-FT |
JAN2N4238
Microsemi Corporation
JAN2N4239
Microsemi Corporation
JAN2N5151
Microsemi Corporation
JAN2N5151L
Microsemi Corporation
JAN2N5152
Microsemi Corporation
JAN2N5152L
Microsemi Corporation
JAN2N5153L
Microsemi Corporation
JAN2N5154L
Microsemi Corporation
JAN2N5157
Microsemi Corporation
JAN2N5237S
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation