maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / JANTXV2N2857UB
Référence fabricant | JANTXV2N2857UB |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N2857UB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
JANTXV2N2857UB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
Gain | 21dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 40mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N2857UB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N2857UB-FT |
60168
Microsemi Corporation
60180
Microsemi Corporation
60189
Microsemi Corporation
60205
Microsemi Corporation
60206
Microsemi Corporation
61032Q
Microsemi Corporation
61044
Microsemi Corporation
61045
Microsemi Corporation
61046
Microsemi Corporation
61070
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel