maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JANTXV1N6471US
Référence fabricant | JANTXV1N6471US |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV1N6471US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/552 |
JANTXV1N6471US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V |
Tension - Panne (Min) | 13.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 22.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 374A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, G |
Package d'appareils du fournisseur | G-MELF (D-5C) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N6471US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV1N6471US-FT |
JANTXV1N6131A
Microsemi Corporation
JANTXV1N6132
Microsemi Corporation
JANTXV1N6132A
Microsemi Corporation
JANTXV1N6133
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JANTXV1N6133A
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JANTXV1N6134
Microsemi Corporation
JANTXV1N6134A
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JANTXV1N6135
Microsemi Corporation
JANTXV1N6135A
Microsemi Corporation
JANTXV1N6136
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation