maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JANTXV1N6463
Référence fabricant | JANTXV1N6463 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JANTXV1N6463 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/551 |
JANTXV1N6463 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V |
Tension - Panne (Min) | 13.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 22.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 125A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N6463 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV1N6463-FT |
JANTXV1N6127A
Microsemi Corporation
JANTXV1N6128
Microsemi Corporation
JANTXV1N6128A
Microsemi Corporation
JANTXV1N6129
Microsemi Corporation
JANTXV1N6129A
Microsemi Corporation
JANTXV1N6130
Microsemi Corporation
JANTXV1N6130A
Microsemi Corporation
JANTXV1N6131
Microsemi Corporation
JANTXV1N6131A
Microsemi Corporation
JANTXV1N6132
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel