maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JANTXV1N6112US
Référence fabricant | JANTXV1N6112US |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV1N6112US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JANTXV1N6112US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 13.7V |
Tension - Panne (Min) | 16.25V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 26.36V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 18.91A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N6112US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV1N6112US-FT |
MXP5KE64A
Microsemi Corporation
MXP5KE64AE3
Microsemi Corporation
MXP5KE64CA
Microsemi Corporation
MXP5KE64CAE3
Microsemi Corporation
MXP5KE7.0A
Microsemi Corporation
MXP5KE7.0AE3
Microsemi Corporation
MXP5KE7.0CA
Microsemi Corporation
MXP5KE7.0CAE3
Microsemi Corporation
MXP5KE7.5A
Microsemi Corporation
MXP5KE7.5AE3
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel