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Référence fabricant | JANTXV1N5806 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV1N5806 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANTXV1N5806 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5806 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV1N5806-FT |
UPS760E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS560E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS540E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS5100HE3
Microsemi Corporation
UPS5100E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS360E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS340E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS3100E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS1040E3/TR13
Microsemi Corporation
UFT3140C
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel