maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTX2N3637UB
Référence fabricant | JANTX2N3637UB |
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Numéro de pièce future | FT-JANTX2N3637UB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTX2N3637UB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 1.5W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 3-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3637UB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX2N3637UB-FT |
JAN2N5416S
Microsemi Corporation
JAN2N5416UA
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JAN2N5662
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JAN2N5663
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M2GL050-FGG484I
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ICE65L08F-TCB132C
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EP3C40F484C8N
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10M02SCU169C8G
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EP3SE80F1152I3N
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LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K50VQC240-1
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