maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JANTX1N5812
Référence fabricant | JANTX1N5812 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTX1N5812 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
JANTX1N5812 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA (DO-4) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5812 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX1N5812-FT |
JAN1N649-1
Microsemi Corporation
JAN1N6620
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JAN1N6620U
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JAN1N6621
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JAN1N6621U
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JAN1N6623
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
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XC2VP7-5FF672I
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XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel