maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANS2N5416U4
Référence fabricant | JANS2N5416U4 |
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Numéro de pièce future | FT-JANS2N5416U4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANS2N5416U4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | U4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N5416U4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS2N5416U4-FT |
JAN2N3251A
Microsemi Corporation
JAN2N3251AUB
Microsemi Corporation
JAN2N335
Microsemi Corporation
JAN2N3420
Microsemi Corporation
JAN2N3441
Microsemi Corporation
JAN2N3442
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JAN2N3584
Microsemi Corporation
JAN2N3585
Microsemi Corporation
JAN2N3634
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
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5SGXEA4H2F35C1N
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EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
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