maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANS2N3637
Référence fabricant | JANS2N3637 |
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Numéro de pièce future | FT-JANS2N3637 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANS2N3637 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N3637 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS2N3637-FT |
BFS19,235
Nexperia USA Inc.
BFS20,235
Nexperia USA Inc.
BSR16,215
Nexperia USA Inc.
BSV52,215
Nexperia USA Inc.
MMBT3904,215
Nexperia USA Inc.
NXP3875GR
Nexperia USA Inc.
NXP3875YR
Nexperia USA Inc.
PBSS4140T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS4140T,235
Nexperia USA Inc.
PBSS4230T,215
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
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A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
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EP4SGX110FF35C4N
Intel